IPP04N03LB G數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 80A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3.8mOhm @ 55A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 70µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 40nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5203pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 107W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3-1 包裝/箱 TO-220-3 |