IPS50R520CP數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 680pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 66W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO251-3 包裝/箱 TO-251-3 Stub Leads, IPak |
