IR2105STR數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 - 驅動配置 Half-Bridge 頻道類型 Synchronous 驅動程序數量 2 門類型 IGBT, N-Channel MOSFET 電壓-供電 10V ~ 20V 邏輯電壓-VIL，VIH 0.8V, 3V 電流-峰值輸出（源極，接收器） 210mA, 360mA 輸入類型 Non-Inverting 高壓側-最大（自舉） 600V 上升/下降時間（典型值） 100ns, 50ns 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOIC |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 驅動配置 Half-Bridge 頻道類型 Synchronous 驅動程序數量 2 門類型 IGBT, N-Channel MOSFET 電壓-供電 10V ~ 20V 邏輯電壓-VIL，VIH 0.8V, 3V 電流-峰值輸出（源極，接收器） 210mA, 360mA 輸入類型 Non-Inverting 高壓側-最大（自舉） 600V 上升/下降時間（典型值） 100ns, 50ns 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOIC |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 驅動配置 Half-Bridge 頻道類型 Synchronous 驅動程序數量 2 門類型 IGBT, N-Channel MOSFET 電壓-供電 10V ~ 20V 邏輯電壓-VIL，VIH 0.8V, 3V 電流-峰值輸出（源極，接收器） 210mA, 360mA 輸入類型 Non-Inverting 高壓側-最大（自舉） 600V 上升/下降時間（典型值） 100ns, 50ns 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝 8-PDIP |
