IRF5802TR數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 900mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6.8nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 88pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 900mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6.8nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 88pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2W (Ta) 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
