IRF5852TR數據表
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Infineon Technologies
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 15V 功率-最大 960mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 6-TSOP |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 15V 功率-最大 960mW 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 6-TSOP |
