IRF6150數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs 36mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 3W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 16-WFBGA 供應商設備包裝 16-FlipFet™ |
