IRF6702M2DTRPBF數據表
IRF6702M2DTRPBF數據表
總頁數: 10
大小: 268.69 KB
Infineon Technologies
此數據表涵蓋了2零件號:
IRF6702M2DTRPBF, IRF6702M2DTR1PBF
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 14nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1380pF @ 15V 功率-最大 2.7W 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MA 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MA |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 14nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1380pF @ 15V 功率-最大 2.7W 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MA 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MA |
