IRF6708S2TRPBF數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.9mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1010pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta), 20W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET S1 包裝/箱 DirectFET™ Isometric S1 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.9mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1010pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta), 20W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET S1 包裝/箱 DirectFET™ Isometric S1 |
