IRF7524D1GTRPBF數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 FETKY™ FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 8.2nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 240pF @ 15V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值） 1.25W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-uSMD 包裝/箱 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
