IRF7601TR數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.7V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 22nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 650pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro8™ 包裝/箱 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
