IRF7701TR數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 100nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5050pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1.5W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-TSSOP 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 100nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5050pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1.5W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-TSSOP 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
