IRF8852TRPBF數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 25V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 7.8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 11.3mOhm @ 7.8A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.35V @ 25µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9.5nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1151pF @ 20V 功率-最大 1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-TSSOP |