IRFBF30L數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 900V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.6A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 78nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1200pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I2PAK 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 900V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.6A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 78nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1200pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 125W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 900V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.6A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 78nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1200pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 125W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |