IRFBL3703數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 260A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.5mOhm @ 76A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 209nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 8250pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.8W (Ta), 300W (Tc) 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SUPER D2-PAK 包裝/箱 Super D2-Pak |
