IRFD420數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 500V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 370mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 24nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 360pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 500V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 370mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 24nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 360pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱 4-DIP (0.300", 7.62mm) |