IRFH7185TRPBF數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 FASTIRFET™, HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 19A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.6V @ 150µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 54nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2320pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 3.6W (Ta), 160W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-PQFN (5x6) 包裝/箱 8-PowerTDFN |