IRFI9Z34N數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 14A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 100mOhm @ 7.8A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 620pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 37W (Tc) 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB Full-Pak 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |