IRFIZ34E數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 21A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 42mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 34nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 700pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 37W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB Full-Pak 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
