IRFR5305CPBF數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 65mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 63nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1200pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 110W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 65mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 63nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1200pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 110W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 65mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 63nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1200pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 110W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 31A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 65mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 63nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1200pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 110W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 IPAK (TO-251) 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
