IRFR9N20DTRR數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 27nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 560pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 86W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 27nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 560pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 86W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 27nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 560pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 86W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 27nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 560pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 86W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 IPAK (TO-251) 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
