IRLI620GPBF數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 800mOhm @ 2.4A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 16nC @ 10V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 360pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 30W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 800mOhm @ 2.4A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 16nC @ 10V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 360pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 30W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
