IRLIB4343數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 19A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 42nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 740pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 39W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB Full-Pak 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |