IRLML6401TR數據表









制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.3A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 950mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 15nC @ 5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 830pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 1.3W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro3™/SOT-23 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |