IRLMS4502TR數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 42mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 600mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 33nC @ 5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1820pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 1.7W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱 SOT-23-6 |