IS42VM16160D-8TLI數據表
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 125MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 54-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 125MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x13) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 125MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x13) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 125MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x13) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 125MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 6ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x13) |
