IS43LR16200C-6BL-TR數據表
|
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小 32Mb (2M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 12ns 訪問時間 5.5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 60-TFBGA 供應商設備包裝 60-TFBGA (8x10) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小 32Mb (2M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 12ns 訪問時間 5.5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 60-TFBGA 供應商設備包裝 60-TFBGA (8x10) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小 32Mb (2M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 12ns 訪問時間 5.5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 60-TFBGA 供應商設備包裝 60-TFBGA (8x10) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPDDR 內存大小 32Mb (2M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 12ns 訪問時間 5.5ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 60-TFBGA 供應商設備包裝 60-TFBGA (8x10) |
