IS45VM16800E-75BLA2-TR數據表
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 Automotive, AEC-Q100 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 Automotive, AEC-Q100 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 Automotive, AEC-Q100 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 Automotive, AEC-Q100 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |