IS61DDB21M18C-250M3L數據表
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61DDB21M18C-250M3L
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, DDR II 內存大小 18Mb (1M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 250MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.71V ~ 1.89V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-LBGA 供應商設備包裝 165-LFBGA (15x17) |
