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IS61DDB42M18A-250M3L數據表

IS61DDB42M18A-250M3L數據表
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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···
IS61DDB42M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-LFBGA (15x17)

IS61DDB41M36A-300M3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-LFBGA (15x17)

IS61DDB42M18-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.85ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-LFBGA (15x17)

IS61DDB42M18-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.85ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-LFBGA (15x17)

IS61DDB41M36-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.85ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-LFBGA (15x17)