IS61WV25616EDALL-20BLI數據表
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61WV25616EDALL-20BLI, IS61WV25616EDALL-20BLI-TR
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 20ns 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.65V ~ 2.2V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-TFBGA (6x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 20ns 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.65V ~ 2.2V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-TFBGA (6x8) |
