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IS66WV1M16EBLL-55BLI數據表

IS66WV1M16EBLL-55BLI數據表
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS66WV1M16EBLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

IS66WV1M16EBLL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)