IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR數據表
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-TFBGA (6x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-TFBGA (6x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-TFBGA (6x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-TFBGA (6x8) |
