IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR數據表
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 64Mb (8M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 100MHz 寫周期-字，頁 40ns 訪問時間 40ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 24-TBGA 供應商設備包裝 24-TFBGA (6x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 64Mb (8M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 36ns 訪問時間 36ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 24-TBGA 供應商設備包裝 24-TFBGA (6x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 64Mb (8M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 36ns 訪問時間 36ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 24-TBGA 供應商設備包裝 24-TFBGA (6x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 64Mb (8M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 100MHz 寫周期-字，頁 40ns 訪問時間 40ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 24-TBGA 供應商設備包裝 24-TFBGA (6x8) |
