IXBN75N170數據表
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制造商 IXYS 系列 BIMOSFET™ IGBT類型 - 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值） 145A 功率-最大 625W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 3.1V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值） 25µA 輸入電容（Cies）@ Vce 6.93nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝 SOT-227B |
