IXBT42N170A數據表
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制造商 IXYS 系列 BIMOSFET™ IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值） 42A 電流-集電極脈沖（Icm） 265A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 6V @ 15V, 21A 功率-最大 357W 開關能量 3.43mJ (on), 430µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 188nC 25°C時的Td（開/關） 19ns/200ns 測試條件 850V, 21A, 1Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 330ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 供應商設備包裝 TO-268 |
制造商 IXYS 系列 BIMOSFET™ IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1700V 當前-集電極（Ic）（最大值） 42A 電流-集電極脈沖（Icm） 265A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 6V @ 15V, 21A 功率-最大 357W 開關能量 3.43mJ (on), 430µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 188nC 25°C時的Td（開/關） 19ns/200ns 測試條件 850V, 21A, 1Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 330ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247AD (IXBH) |
