IXFG55N50數據表
|
制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 90mOhm @ 27.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 330nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 9400pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 400W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISO264™ 包裝/箱 ISO264™ |
