IXFH102N15T數據表
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制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 150V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 102A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 87nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5220pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 455W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247AD (IXFH) 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 150V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 102A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 87nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5220pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 455W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 150V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 102A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 87nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5220pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 455W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-263 (IXFA) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |