IXFJ40N30Q數據表
IXYS 制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 300V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 40A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 80mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 4mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 200nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 4800pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 300W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-268 包裝/箱 TO-220-3, Short Tab |