IXFK360N10T數據表
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制造商 IXYS 系列 GigaMOS™ HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 360A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 525nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 33000pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1250W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-264AA (IXFK) 包裝/箱 TO-264-3, TO-264AA |
制造商 IXYS 系列 GigaMOS™ HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 360A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 525nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 33000pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1250W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PLUS247™-3 包裝/箱 TO-247-3 |
