IXFN50N120SK數據表
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制造商 IXYS 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 52mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 2.8V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 115nC @ 20V Vgs（最大） +20V, -5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1895pF @ 1000V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SOT-227B 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC |
