IXFR21N100Q數據表
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制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 500mOhm @ 10.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 170nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5900pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 350W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOPLUS247™ 包裝/箱 ISOPLUS247™ |
