IXTC75N10數據表
IXYS 制造商 IXYS 系列 MegaMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 72A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 20mOhm @ 37.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 260nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 4500pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 230W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOPLUS220™ 包裝/箱 ISOPLUS220™ |