IXTF1N450數據表
|
制造商 IXYS 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 4500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 900mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 85Ohm @ 50mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 6.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 40nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1730pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 160W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOPLUS i4-PAC™ 包裝/箱 i4-Pac™-5 (3 Leads) |
