IXTF1R4N450數據表





制造商 IXYS 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 4500V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1.4A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 40Ohm @ 50mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 6V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 88nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3300pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 190W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOPLUS i4-PAC™ 包裝/箱 i4-Pac™-5 (3 Leads) |