IXTH2N150L數據表
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制造商 IXYS 系列 Linear L2™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 15Ohm @ 1A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 8.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 72nC @ 20V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1470pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 290W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247 包裝/箱 TO-247-3 |
