KSB1151YSTSSTU數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 2A, 1V 功率-最大 1.3W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 2A, 1V 功率-最大 1.3W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 2A, 1V 功率-最大 1.3W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 5A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 2A, 1V 功率-最大 1.3W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
