KSC2310OTA數據表




制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 50mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 150V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 70 @ 10mA, 5V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 50mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 150V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 10mA, 5V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 50mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 150V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 10mA, 5V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 50mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 150V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 10mA, 5V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 50mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 150V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 10mA, 5V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 50mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 150V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 70 @ 10mA, 5V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 50mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 150V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 10mA, 5V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |