KSC3552RTU數據表
KSC3552RTU數據表
總頁數: 5
大小: 55.45 KB
ON Semiconductor
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 12A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 800V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 1.2A, 6A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 800mA, 5V 功率-最大 150W 頻率-過渡 15MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝 TO-3P |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 12A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 800V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 1.2A, 6A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 10 @ 800mA, 5V 功率-最大 150W 頻率-過渡 15MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝 TO-3P |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 12A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 800V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 1.2A, 6A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 20 @ 800mA, 5V 功率-最大 150W 頻率-過渡 15MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝 TO-3P |
