KSP2907ACBU數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 600mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 60V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 10nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 600mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 60V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 10nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 600mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 60V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 10nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 600mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 60V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 10nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 600mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 60V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止(最大值) 10nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |