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LH5116NA-10數據表

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Sharp Microelectronics
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LH5116NA-10

Sharp Microelectronics

制造商

Sharp Microelectronics

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-SOIC (0.339", 8.60mm Width)

供應商設備包裝

24-SOP